Akoustis stellt neue, fortschrittliche Einkristall-AlScN-auf-Si-Wafer-XBAW®-Technologie vor

Mehrjährige Entwicklung mit DARPA treibt die Differenzierung der Kern-BAW-Technologie voran

Fortschrittliches Einkristallmaterial sorgt für verbesserte Belastbarkeit und Oberschwingungen

Ermöglicht einen breiteren Anwendungsfall für die BAW-Technologie in Hochleistungsanwendungen

Charlotte, NC, 27. Juli 2023 (GLOBE NEWSWIRE) – Akoustis Technologies, Inc. (NASDAQ: AKTS) („Akoustis“ oder das „Unternehmen“), ein integrierter Gerätehersteller (IDM) für patentierte Bulk Acoustic Wave (BAW) Hochband-HF-Filter für mobile und andere drahtlose Anwendungen, gab heute bekannt, dass es ein neues fortschrittliches einkristallines XBAW®-Material unter Verwendung von epitaktischem (EPI) Aluminium-Scandiumnitrid (AlScN) auf einem Siliziumwafer entwickelt hat. Dieses neue Material wurde mit Mitteln der Defense Advanced Research Projects Agency (DARPA) entwickelt, um die XBAW®-Technologie auf Frequenzen bis zu 18 GHz zu skalieren. Das Unternehmen plant, im laufenden Quartal mit der Probenahme von Filtern aus dem neuen Einkristallmaterial zu beginnen.

Akoustis hat sein fortschrittliches einkristallines Nanomaterial neu entwickelt, das BAW-Filter mit höherer Belastbarkeit und verbesserten Oberwellen im Vergleich zur bestehenden Polykristall-Technologie liefert. Eine höhere Belastbarkeit bietet Kunden die Möglichkeit, Produkte mit höherer Sendeleistung und damit größerer Reichweite und Hindernisdurchdringung zu entwickeln. Verbesserte Oberwellen reduzieren unerwünschte Störemissionen außerhalb des Bandes, die Störungen verursachen oder die FCC- und andere Normenzulassung nicht bestehen lassen könnten. Die Entwicklung des neuen Einkristallmaterials stützt sich maßgeblich auf viele grundlegende Patente und Geschäftsgeheimnisse des Unternehmens.

Jeff Shealy, Gründer und CEO von Akoustis, erklärte: „Die Herstellung dieses neuen Einkristallmaterials ist der Höhepunkt langjähriger Ingenieursarbeit und wurde durch unsere starke Partnerschaft mit DARPA ermöglicht, die unsere Technologie durch ihre kontinuierliche Unterstützung anerkannt hat.“ Herr Shealy fuhr fort: „Dieses neue Material bietet erhebliche Verbesserungen gegenüber dem, was heute mit unseren Polykristall-Technologien erreicht werden kann, mit Vorteilen bei der Belastbarkeit und verbesserten Harmonischen. Wir gehen davon aus, dass dieses neue Material eine verbesserte Leistung bei BAW für 5G-Mobilgeräte, 5G-Mobilinfrastruktur, Wi-Fi, Automobil, Verteidigung und andere Märkte liefern wird.“

Akoustis verzeichnet weiterhin eine starke Nachfrage und einen wachsenden Verkaufstrichter für seine Wi-Fi-, 5G-Mobilfunk- und 5G-Infrastrukturprodukte sowie seine neuen XBAW®/SAW-Resonator- und Oszillatorprodukte und Halbleiter-Back-End-Dienste. Im Juni-Quartal versendete das Unternehmen Muster seiner neuen 5,6 GHz/6,6 GHz Wi-Fi 6E/7 XBAW®-Filterprodukte an mehrere Kunden. Akoustis fügt weiterhin neue Wi-Fi-Designprojekte hinzu, von denen viele voraussichtlich im Jahr 2023 in Produktion gehen.

Über Akoustis Technologies, Inc.

Akoustis® (http://www.akoustis.com/) ist ein High-Tech-Unternehmen für BAW-HF-Filterlösungen, das Pionierarbeit in der Materialwissenschaft der nächsten Generation und der Herstellung von MEMS-Wafern leistet, um den Marktanforderungen nach verbesserten HF-Filtern gerecht zu werden – mit dem Ziel einer höheren Bandbreite, höhere Betriebsfrequenzen und höhere Ausgangsleistung im Vergleich zur herkömmlichen polykristallinen BAW-Technologie. Das Unternehmen nutzt seinen proprietären und patentierten XBAW®-Herstellungsprozess, um HF-Filter für akustische Massenwellen für Mobilfunk- und andere drahtlose Märkte herzustellen, die die Signalerfassung erleichtern und die Bandleistung zwischen der Antenne und dem digitalen Back-End beschleunigen. Die überragende Leistung wird durch die bedeutenden Fortschritte bei polykristallinen, einkristallinen und anderen hochreinen piezoelektrischen Materialien sowie durch die Resonator-Filter-Prozesstechnologie vorangetrieben, die optimale Kompromisse zwischen kritischen Leistungs-, Frequenz- und Bandbreitenleistungsspezifikationen ermöglicht.

Akoustis plant, den schnell wachsenden, milliardenschweren HF-Filtermarkt mit seinem Geschäftsmodell des integrierten Geräteherstellers (IDM) zu bedienen. Das Unternehmen besitzt und betreibt eine 120.000 Quadratfuß große, nach ISO 9001:2015 registrierte kommerzielle Wafer-Fertigungsanlage in Canandaigua, NY, zu der auch eine Reinraumanlage der Klassen 100/1000 gehört, die für Wafer mit 150 mm Durchmesser ausgestattet ist , Entwicklung, Herstellung und Verpackung von HF-Filtern, MEMS und anderen Halbleiterbauelementen. Akoustis Technologies, Inc. hat seinen Hauptsitz im Technologiekorridor Piedmont in der Nähe von Charlotte, North Carolina.

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